- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录464 > IXTP44N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 44A TO-220
IXTP44N10T
IXTY44N10T
45
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
40
9V
35
30
8V
100
80
9V
25
7V
60
8V
20
15
40
7V
10
6V
20
5
6V
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
45
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
vs. Junction Temperature
40
35
30
V GS = 10V
9V
8V
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
2.0
25
20
15
10
5
0
7V
6V
5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 44A
I D = 22A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
vs. Drain Current
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.8
3.4
3.0
2.6
2.2
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
45
40
35
30
25
External Lead Current Limit for TO-252
20
1.8
1.4
15
10
1.0
0.6
T J = 25oC
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXTP4N80P
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
IXTP50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO-220
IXTP50N20PM
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
IXTP64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
IXTP70N085T
MOSFET N-CH 85V 70A TO-220
IXTP7N60PM
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
IXTP7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP8N50PM
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
相关代理商/技术参数
IXTP44N15T
功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP44N25T
功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP44N30T
功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP44P15T
功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP450P2
功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP460P2
功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP48N20T
功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP48P05T
功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube